ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

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トラップ濃度

式(A-2)より、トラップの濃度が以下のように求まります。

また、λ 領域を考慮しない近似的な濃度としては、式(A-5)より

が得られます。

以上のように、DLTS法によって、深い準位のパラメータ(エネルギーレベル、捕獲断面積)および濃度が測定できます。しかしながら、この方法では、複数のアレニウスプロット点を得るために、降温/昇温を伴って、異なるレートウインドウでの測定を繰り返す手間は大変なものです。

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