HPHT Diamond
HPHTダイヤモンド
主な特長
• タイプIIa 単結晶ダイヤモンド基板
• ホウ素濃度：20 ppb以下
• 窒素濃度：5〜10 ppb以下
• 転位密度：10¹〜10³ cm⁻²（モノセクターで最小）
• 高い結晶性と表面品質
• 欠陥、クラック、チップのない作業面（50倍顕微鏡下で検査済み）
• 表面粗さ Ra：0.5〜2 nm（CMP研磨対応可）
• 最大15 × 15 mmサイズまで対応
• モノセクターまたはマルチセクター構造
• オリエンテーション：(100)、(111)、(110)
• カスタムミスカット対応（±0.5°）
用途分野
• 量子センサ／量子情報処理
• NVセンター形成に最適な超高純度基板
• レーザー・X線光学
• 高出力レーザー用ウィンドウ、レンズ
• 半導体放熱基板
• GaN/SiCデバイスの熱マネジメント
• CVDダイヤモンド成長シード
• 表面方位精度およびミスカット制御による再現性の高い成長基盤
• 高圧物性研究（ダイヤモンドアンビルセルなど）
品質管理体制
FTDiam社では以下の高度な評価技術を駆使し、全品に対して品質を保証しています：
• ダイヤモンドビュー解析
• 白色X線トポグラフィー
• FTIRおよびUV-VIS分光分析
• ラマン分光法（非晶質炭素・黒鉛成分の除去確認）
• AFM表面粗さ測定
• X線回折によるミスカット角評価
• 偏光顕微鏡による歪み・残留応力解析
メーカー情報
FTDiam Inc.
FTDiam Inc.（アメリカ・ニューヨーク）は、独自のAHPHT技術を用いて超高純度の単結晶ダイヤモンド基板を製造する先進素材メーカーです。NVセンター用の量子デバイス、レーザー・X線光学、半導体の熱拡散など、最先端分野向けに、最大15×15mmの高品質Type IIaダイヤモンドを提供しています。転位密度10¹ cm⁻²以下、ホウ素・窒素濃度ppbレベルの優れた結晶品質を誇ります。
