SiC Related Products / Services
SiC関連
SiCウエハとは
SiCはシリコン(Si)と炭素(C)で構成される化合物半導体材料です。絶縁破壊電界強度がSiの10倍、バンドギャップが3倍と優れており、Siの限界を超えるパワーデバイス用材料として期待されています。また、SiC半導体は、電子移動度が高く耐熱性に優れているため、従来のSi半導体では使用できない高温動作環境などでの動作が可能になります。また、低損失であるため省エネルギーにもつながります。
この特性から、太陽光・風力発電システムをはじめとして、電車用インバーターでもSiC半導体が用いられるようになっており、過酷な環境下での高電圧の高速制御分野において利用が拡大しています。
セラミックフォーラムでは、デバイス量産用の厳しい品質検査をクリアしたSiCバルクウエハを提供しております。
SiCウエハ
次世代型パワーデバイス用のウエハとして利用が拡大しているSiC バルクウエハ。昇華法で製造される、信頼性の高い製品を提供しています。
セラミックフォーラムでは、デバイス量産用の厳しい品質検査をクリアしたSiCバルクウエハを提供しています。
SiCエピタキシー成膜サービス
SiC デバイスの性能向上に欠かせないキーポイントとなる、SiCエピタキシーの受託成膜サービスを提供しています。n型やp型、600Vから10KVを超える超高耐圧デバイス用エピキタシーなど、多くの仕様に対応しています。
詳細はこちらSiC関連
セラミックフォーラムは、2011年より半絶縁性 SiC ウエハの取扱いを開始しました。
弊社で取り扱いのある半絶縁性 SiC ウエハは、高温CVD法（HTCVD）で製造されており、昇華法で製造されているウエハに比べて、以下のような特徴があります。
低欠陥（低MPD、TSD）
高抵抗かつ、ウエハ面内における高い抵抗率均一性
高純度
基本的にはこれらのウエハはon-axisでの提供となります。
詳細はこちらSiCファウンドリサービス
下記のサービスを提供しております。
SiCにおけるエピキタシー層のドーピング制御を高精度にコントロールすることができる、エネルギーフィルターを用いたイオン注入サービス。
SiC、GaN、GaAsなどの基板に対応した、パワーデバイス用のイオン注入に必要とされる高エネルギー（〜50MeV）でのイオン注入サービス。
SiC パワーデバイスの設計・試作・評価・パイロット量産・大規模量産の各段階に合わせたサービス。
各種ウエハにおけるCMP加工、再生研磨、ウエハ薄肉化、ワイヤーソー、洗浄、加工評価等。
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