GaN Epitaxial Service

SweGaN社の提供する、主に「光電子移動度トランジスタ(HEMT)」向けのエピウエハを取り扱っています。

QuanFINE™構造とは、GaNとSiCのハイブリッド材料というコンセプトに基づいて構成されており、薄層GaNの高い電子速度とバルクSiCの高い絶縁破壊耐性を組み合わせたもので、高周波・パワートランジスタのどちらにも適していることが示されています。

エピタキシャル層: 高温プロセスにより成長したGaNとAlNのエピタキシャル層は、優れた構造品質を示し、貫通転位密度は10^8 cm^-2台前半、AlN核形成層は結晶粒界を含みません。
低い界面熱抵抗: AlN核形成層を使用することで、従来のGaN-SiC界面における界面熱抵抗（TBR）を大幅に低減し、温度上昇を抑制します。これにより、デバイスの信頼性が向上し、寿命が10倍に延びます。

主な応用分野

パワーデバイス

QuanFINE™構造は、高品質・高抵抗の半絶縁性SiC基板を使用し、電圧ブロッキング層として機能します。

高周波デバイス

バッファ層のないHEMTヘテロ構造。AIN核形成層が背面側バリア層として機能し、薄いGaNチャネル層内の電子を量子井戸構造に閉じ込めます。

SweGaN社（スウェーデン）

最新技術を用いたカスタムメイドのエピタキシャルウェーハのスウェーデンメーカー。最新技術を用いたカスタムメイドのエピタキシャルウエハを提供。Linköping大学およびChalmers技術大学と連携し、GaN on SiCのデバイスの開発に取り組んでいる。

2020年よりEnkris Semiconductor社のエピウエハの取り扱いを開始しました。
同社は、パワーエレクトロニクス、RF、およびマイクロLEDアプリケーション向けに高品質なGaNエピウエハを提供しており、高品質で平坦、クラックのないエピ構造を実現するための基板エンジニアリング、バッファ設計、活性領域の最適化に関する特許技術を強みとしています。

Enkris Semiconductor社　(中国)

2012年にGaNのエピファウンドリとして設立された。 中国、米国、日本など~200件の特許出願を行い、66件の特許が付与されており imecからは特許ライセンスを80件取得済。 GaNエピ材料の設計および製造のためISO9001:2015証明書を取得。

2016年よりSeen社のエピキタシーサービスの取り扱いを開始しました。
同社は、GaN自立基板・サファイヤ・Si・SiC・InP・GaAsなど、さまざまな基板をベースとし、GaN・SiC・グラフェン・InAs・InPなど多様なエピキタシー層を成膜することができます。C面だけでなく非極性面・半極性面への成膜も対応可能であり、高度な柔軟性を持つオーダーメイドでのエピウエハを提供します。

【対応可能なエピウエハ】

GaNパワーデバイス向けエピサービス

HEMT（高電子移動度トランジスタ）

ダイオード

GaN高周波デバイス向けエピサービス

HEMT

グラフェン層形成

LED、レーザー、VCSEL、バラクタ、フォトディテクター向けエピ構造

Seen Semiconductor社（ポーランド）

2011年に設立されたポーランドのワルシャワに本社を置く企業です。ポーランド科学アカデミーの高圧物理学研究所（Unipress）からスピンオフした会社であり、III-V族化合物半導体のエピタキシャル成長に特化しています。