LayTec in-situ Measurement System
LayTec社製in-situ測定装置
概要
この装置は、MOCVD 装置やMBE 装置など各種成膜装置によるエピタキシャル成長プロセスにおいて、成膜速度や膜厚、基板の反りやウェーハ表面温度等を極めて高精度に測定します。
また、ナノスケールの構造体にも対応しています。
GaNなど各種材料の成膜プロセスにおいては、ウェハ表面の実際温度が最も重要な成膜条件であるとされていますが、この装置では温度をリアルタイムで測定し、かつその精度は±1Kを達成しています。
上位機種では更に様々な測定・解析が可能となっています。
マルチウエハタイプのサセプターにも対応しており、ウェハ毎に選択的な測定を行うことができます。
製品の特徴
１．リアルタイムモニタリング
MOCVD装置やMBE装置などの成膜装置に対応し、成膜速度や膜厚、基板の反り、ウェーハ表面温度などをリアルタイムで測定。
温度測定の精度は±1Kを達成し、成膜条件の最適化をサポート。
２．多様な材料対応
GaN、SiC、AlNなどのワイドギャップ半導体材料の成膜プロセスに対応。
ウェーハ表面の実際温度をリアルタイムで測定することで、成膜プロセスの精度を向上。
３．マッピングシステム
ウェーハ全体の反射率測定や膜厚分布、基板反り、シート抵抗、透過率などのマッピングを実施。
複数のウェーハを同時に測定することが可能で、生産効率を向上。
４．高度な解析機能
成膜プロセス中のDip波長位置やStop-band幅の自動解析。
In-situ装置で得られた測定データと連動したウエハマッピングシステムを提供。
技術仕様
温度測定精度: ±1K
対応装置: MOCVD装置、MBE装置など
対応材料: GaN、SiC、AlN
メーカー情報
LayTec社（ドイツ）
1999年設立。In-situエピタキシャルセンサー分野のリーディングカンパニー。
2009年から3年連続でドイツで最も急成長しているテクノロジー企業50社の1つに選ばれる。
現在、世界中で2500以上の計測システムを設置し、その75％がアジア、10％が北米、15％がヨーロッパにある。
