当社のパートナーであるSweGaN（スウェーデンのGaN-on-SiCエピタキシャルウェハメーカー）は、エリクソン（Ericsson）、サーブ（Saab）、およびチャルマース工科大学（Chalmers University of Technology）と共同で、次世代6G通信向けの高効率GaNパワーアンプ（PA）の開発プロジェクトを開始したことを発表しました。

このプロジェクトはスウェーデンの政府系イノベーション機関Vinnovaの支援を受けており、SweGaNの独自技術QuanFINE® GaN-on-SiCを活用して、7～15GHz（X/Kuバンド）の周波数帯で高性能かつ省電力な無線通信システムの実現を目指します。

プロジェクトは2025年9月から2027年8月までの2年間にわたり実施され、材料開発から回路設計までの垂直統合型のアプローチで進められます。通信・防衛分野での応用が期待されています。

🔗 SweGaN公式ニュースリリースはこちら：

https://swegan.se/swegan-ericsson-saab-and-chalmers-collaborate-for-6g-gan-power-amplifiers/

SweGaNの弊社で取扱製品について：https://ceramicforum.co.jp/gan-epi/