水銀プローブを使用した高精度なC-V測定システムです 。
リアルタイムの水銀漏れ監視機能とデータ信頼性監視機能を搭載し、安全かつ信頼性の高いデータ取得を実現します 。

・対応モデル: MCV-200 / 300 (手動ロードのセミオートモデル) 、MCV-200R / 300R (EFEM・デュアルアームを搭載した完全自動化プラットフォーム) 。

・アプリケーション: Si / SiC / Ga2O3エピタキシャル層のキャリア濃度や空乏層幅のプロファイル測定、GaN HEMT構造の2DEGシート電荷密度、各種絶縁膜（SiO2, SiNなど）のフラットバンド電圧、界面準位密度の評価 。
オプションでブレークダウン電圧やリーク電流の測定（I-V）も可能です 。

ウェハにダメージを与えない非接触式のC-Vフルマッピング測定システムです 。
デュアルアームやプリアライナーを備えた標準EFEMシステムを搭載し、完全自動化された量産ライン（SECS/GEM対応）に最適です 。

・対応モデル: QV-200C / 300S (6〜12インチ対応・完全自動化プラットフォーム) 。

・アプリケーション: シリコン基板の拡散長やFe/Cu汚染の評価、SiC/GaNエピタキシャル層のキャリア濃度測定 。また、誘電体膜のモバイルチャージ、ソフトブレークダウン電圧、リーク密度、表面残留電荷、プラズマダメージなどの高度な非破壊評価に優れています 。

サファイアや絶縁性SiCなどの絶縁基板上のデバイス評価に特化したコプレーナ（同一平面上）プローブ構成のC-V測定システムです 。
垂直プローブ（MCVと同等の機能）を構成して運用することも可能です 。

・対応モデル: Coplane-200 / 300 (2〜12インチ対応・手動ロード) 。

・アプリケーション: サファイア/絶縁SiC基板上のGaN HEMT、N型SiC基板上のP型SiCエピ層、絶縁基板上のGa2O3などの評価 。
キャリア濃度、空乏層幅、2DEGシート電荷密度、バリアハイト、しきい値電圧の測定に対応します