SiC Foundry Service
SiCファウンドリーサービス
フィルター式SiCイオン注入
フィルター式SiCイオン注入とは
シリコンフィルムを使用し、単一のイオン注入で任意のドーピングプロファイルを形成可能。
高精度なSiCエピタキシャル層のドーピングコントロールを実現。
ウエハ内の濃度誤差を±1～2％以下に抑制し、生産性と精度を大幅に向上することが可能。
フィルタ式SiCイオン注入により、以下のベネフィトを得ることができます。
チップのコスト削減：正確なドリフトゾーンのドーピング
チップの性能向上：シリコンベースのHVデバイスの耐久性向上
次世代のチップ構造の実現：SiC-Superjunction-MOSFET-Chip等
mi2-factory 社（ドイツ、Jena）
ドイツのJena大学での「エネルギーフィルターを用いたイオン注入制御の開発プロジェクト」に参加していた教授・研究者を中心に、2016年に設立されたスピンアウトベンチャー。
エネルギーフィルターを使用したイオン注入コントロール技術を提供しており、フィルター単体の提供も行っている。
イオン注入サービス
HZDR Innovation社は、2MV、3MV、および6MVのイオン注入装置を所有し、研究開発から量産用途まで幅広く対応が可能です。
同社のイオン注入サービスの特長
高エネルギーイオン注入
6MVの注入装置を使用して50MeVの注入が可能。
SiCへの深さ10μmの注入が可能。
H・Heなどの軽元素を使ってのライフタイム制御、B, P, Asを用いてのドーピングや電界制御など、パワーデバイス向けに必要とされる仕様のイオン注入に対応。
*mi-2Factory社のフィルターを使用してのイオン注入サービスも可能です。
HZDR Innovation 社（ドイツ、Dresden）
ドイツ有数のR&D機関であるHelmholtz-Zentrum のDresden 研究所が保有する、世界でもトップレベル（〜50MeV）の高エネルギーイオン注入機を用いて、産業界に貢献する目的で設立されたスピンアウトベンチャー。
欧米を中心に13カ国にわたる製造企業、研究機関へ注入サービスを提供している。
SiCウエハ 加工サービス
各種ウエハにおけるCMP加工、再生研磨、ウエハ薄化、ワイヤーソー加工、洗浄、プロセス評価などのトータルソリューションを提供しています。高価な先進材料であるSiCやGaN、Ga2O3などのウエハの再利用は、量産および研究開発の両方において効果的です。
【再生可能ウエハ】
Si、SiC、GaAs、Al2O3、GaN、Ga2O3、LiTaO3などの酸化物
【CMP処理】
SiC、GaN、AlN、Al2O3、Ga2O3など
Novasic社（Soitec Group）（フランス Grenoble）
SiC GaN などの先端材料の研磨加工における、欧州一のサービスプロバイダー。1995年に設立後、一貫して、フランス、欧州の先端材料研究プロジェクトにおいて研磨開発の担当を担ってきました。ウエハメーカーの研磨受託もおこなっており、加工実績、通算研磨枚数における世界有数の研磨加工メーカーである。
その他日本研磨加工メーカー（日本 数社）
それぞれの材料にあった、テーラーメードのように最適な加工を行えます。お客様のニーズに合わせて最適なソリューションを提供します。
SiC パワーデバイス開発・試作サービス
Coherent社によるSiC パワーデバイス開発のトータルソリューションを提供しています。
同社は、4.5KV PiN-Diode（1999年発表）など高耐圧パワーデバイスの豊富な開発実績を持ちます。
SiC パワーデバイスの開発・試作の各段階において、お客様のデザインに合わせたサービスを提供します。
また、埋め込みエピキタシー・トレンチ層形成・熱処理・SJ構造形成など、特定プロセスのみでの製造受託も行っています。
*デバイス試作では、150mmまでのウエハに対応しています。
【サービス内容】
SiCパワーデバイス開発受託 （デザインから試作評価まで）
プロセス内SiCエピキタシー （埋め込みエピキタシー、多層pnジャンクション成膜など）
トレンチ構造形成（深さ10μm＊幅2μmのトレンチ構造、ボイドなし再成長）
酸化膜形成 （蒸着と高温アニールのコンビネーション）
金属膜形成 （様々な種類の金属層＋保護層の形成）
II-VI Kista AB社（Coherent Group）（スウェーデン）
エピタキシーサービスをはじめとして、デバイス設計・パッケージまでの工程を総合的に手がける、SiC専門ファブ。スウェーデンの国営研究機関（ACREO）にて1993年からSiCの研究開発を行っていた組織を母体として、2011年創立。数多くの開発実績をもとにした3DSiCエピタキシャル構造やデバイス設計・プロセス技術など、独自のノウハウと技術を提供している。
