セラミックフォーラム株式会社は、Sophon Tech Precision Microfabrication Instruments Co., Ltd.が開発するSiC結晶レーザー分離・剥離装置およびダイヤモンド内部レーザー分離装置の日本国内での取扱いを開始しました。

SiC向け装置は、結晶内部へのレーザー改質と方向性き裂制御を組み合わせ、ウエハ分離から自動化ライン構成まで対応するシステムです。ダイヤモンド向け装置は、単結晶・多結晶ダイヤモンドの内部改質とき裂進展を制御し、1つの結晶から複数枚を得る加工を想定しています。

材料評価、加工条件の検討、サンプル加工、装置構成、量産ラインへの組込みについて、用途と要求仕様に応じてご提案します。

• SiC結晶レーザー分離・剥離装置の詳細
• ダイヤモンド内部レーザー分離装置の詳細
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