【出展のお知らせ】IWN2026（熊本）ブースF03：GaN材料・欠陥評価技術とCP1関連ポスター発表
セラミックフォーラム株式会社は、2026年11月8日（日）～13日（金）に熊本城ホールで開催される「International Workshop on Nitride Semiconductors 2026（IWN2026）」に出展します。当社ブースはF03です。
自社開発の結晶欠陥検査・評価装置「Crystalline Tester® CP1」「Crystalline Tester® CS2」をはじめ、GaN基板・エピタキシャル成膜サービス、SweGaN社のGaN HEMT用エピ構造、DLTS・ホール効果受託測定など、窒化物半導体の研究開発を支える製品・サービスをご紹介します。また、当社CTOの服部亮が、CP1によるGaN基板中の貫通転位の非破壊観察に関する研究成果をポスター発表します。
展示ブースF03でご紹介する製品・サービス
自社開発の結晶評価装置 CP1・CS2
Crystalline Tester® CP1は、位相差・偏光観察を用いた、ワイドギャップ半導体の結晶欠陥を非破壊で評価する顕微鏡システムです。GaN基板内部の貫通転位などの3次元観察・解析をご紹介します。Crystalline Tester® CS2は、マクロな結晶性の診断に用いる装置です。微視的な欠陥観察とマクロな結晶評価の両面から、材料評価の課題についてご相談いただけます。
GaN材料・エピタキシーから受託評価まで
- GaN単結晶基板・エピタキシャル成膜サービス：研究用途やデバイス構造に応じた材料選定、エピ構造のご相談に対応します。
- SweGaN社のGaN HEMT用エピ構造：パートナーであるSweGaN社のエピウエハについて、用途やご要望を伺いながらご紹介します。
- DLTS・ホール効果受託測定：深い準位の評価や、キャリア濃度・移動度などの電気特性評価をご相談いただけます。
- 検査・測定装置および受託結晶評価：CP1・CS2による評価、Phystech社製DLTS測定装置など、材料・デバイス開発に必要な評価技術をご紹介します。
関連情報：CP1・CS2 結晶評価装置 ／ GaN関連製品・サービス ／ GaNエピサービス ／ 受託分析
LayTec・EpiQuestの隣接ブースとあわせてお立ち寄りください
当社は、LayTec AGおよびEpiQuest, Inc.に隣接して出展します。
| ブース番号 | 出展企業 |
|---|---|
| F02 | LayTec AG |
| F03 | Ceramic Forum Co., Ltd.（セラミックフォーラム株式会社） |
| F04 | EpiQuest, Inc. |
CTO 服部亮によるLate Newsポスター発表
位相差顕微鏡（CP1）を用いて、GaN基板中の貫通転位（Threading Dislocations：TDs）を、360 µm × 300 µmの広視野で非破壊・高分解能に3次元観察・解析した結果をご紹介します。
多光子励起フォトルミネッセンス（MPPL）との比較検証を含め、pure 1c-TSD（純粋ならせん貫通転位）の非破壊検出に向けた実証成果について報告する予定です。結晶欠陥の観察・評価に関心をお持ちの方は、ぜひポスター会場にもお越しください。
| 発表形式 | Late News ポスター発表 |
|---|---|
| 日時 | 2026年11月10日（火）14:45～16:30（日本時間） |
| 演題ID | TuP-CH-44-LN |
| タイトル | Wide Area Non-destructive Inspection of Threading Dislocations in GaN substrate using Phase Contrast Microscope |
| 著者 | 服部亮（セラミックフォーラム）、石川由加里・勝部大樹（ファインセラミックスセンター／JFCC） |
開催概要
- 会議名：International Workshop on Nitride Semiconductors 2026（IWN2026）
- 会期：2026年11月8日（日）～13日（金）
- 会場：熊本城ホール（熊本県熊本市）
- 当社ブース：F03
- 公式ウェブサイト：https://iwn2026.jp/
- 発表プログラム：IWN2026 Programs
GaNの材料調達、エピタキシー、結晶欠陥評価、電気特性評価に関するご相談をお待ちしております。展示ブースF03およびポスターTuP-CH-44-LNへ、ぜひお立ち寄りください。
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