(財)ファインセラミックスセンター(JFCC)は、当社と三重大学との共同研究の結果、次世代窒化ガリウムパワー半導体向けの三次元欠陥イメージング技術の開発を発表しました。

この研究では、当社が開発したCrystalline Tester®CP1位相差偏光顕微鏡システムを用いてGaN結晶の欠陥を三次元的に可視化する技術が開発されました。

Crystalline Tester ®CP1は位相差顕微鏡と偏光顕微鏡を組み合わせたワイドバンドギャップ半導体用の位相差偏光顕微鏡です。この技術により、結晶内転位のウエハ面内分布や深さ方向分布を高精度に特定でき、GaN結晶の品質向上やGaNパワーデバイスの性能と信頼性の向上に寄与すると期待されています。

窒化ガリウム(GaN)は、青色LEDやPC等の充電器から自動車のインバータに応用される導電性自立基板や、携帯基地局や衛星通信に応用される半絶縁性SiC基板上に積層された薄層エピ膜など、様々な分野への応用が期待されています。

GaN結晶に残留する転位は、デバイスの性能や信頼性の劣化を引き起こす可能性があり、結晶内部の欠陥を非破壊で高精度に観察・評価する技術を確立することが喫緊の課題となっています。

詳細につきましては、以下のJFCCプレスリリースをご参照ください。

■ JFCCプレスリリース
https://www.jfcc.or.jp/press/r26_4.html

■ Crystalline Tester® CP1 製品情報
https://ceramicforum.co.jp/inspection/cs2/

■ お問い合わせフォーム
https://ceramicforum.co.jp/contact/