2026/05/25

〖ニュース〗JFCCより、GaN結晶中の欠陥三次元イメージング技術に関する共同研究成果が発表されました

このたび、一般財団法人ファインセラミックスセンター（JFCC）より、弊社および三重大学との共同研究成果として、「次世代パワー半導体窒化ガリウムの欠陥三次元イメージング技術を開発」が発表されました。

窒化ガリウム（GaN）は、青色LEDの材料として知られる一方、近年ではスマートフォンやパソコンの充電器、通信基地局、衛星通信、自動車などに用いられる高効率・高速動作のパワーデバイス材料としても注目されています。

GaN結晶中に存在する転位などの結晶欠陥は、デバイスの性能低下や信頼性劣化の要因となるため、結晶内部の欠陥を正確に観察・評価する技術の確立が重要な課題となっています。

本研究では、弊社開発のCP1（光学顕微鏡の一種である位相差顕微鏡）を用い、GaN結晶中の欠陥を三次元的に可視化する技術が開発されました。本技術により、結晶内部における欠陥の空間分布や種類を高精度に把握することが可能となり、GaN結晶の高品質化およびGaNパワーデバイスの高性能化・高信頼化への貢献が期待されます。