Sandia National Laboratories、LayTecのEpiXウエハマッピング装置を発注
米国のSandia National Laboratoriesは、先端半導体材料の光学評価に向けて、LayTec社のウエハマッピング装置「EpiX」を発注しました。
今回発注された装置は、研究開発用途に合わせてカスタマイズされたマニュアルローディング仕様です。白色光反射率測定（WLR）とフォトルミネッセンス測定（PL）を組み合わせることで、ウエハ全面の光学特性を非接触で評価できます。
【EpiXの主な特長と用途】
- 幅広い応用範囲：UV–Visible領域に最適化された構成により、AlGaNを用いたパワーデバイス、高周波デバイス、オプトエレクトロニクスデバイスのほか、新規半導体材料の研究にも活用される予定です。
- 詳細な2次元マッピング：膜厚や組成に関連する光学特性、発光特性などのウエハ面内分布を2次元でマッピングできます。
- 複雑な構造の評価：HEMTをはじめとする複雑なデバイス構造についても、ウエハ全体の均一性や局所的なばらつきを詳細に評価できます。
- 柔軟なモジュール型システム：測定モジュール、測定波長、ウエハのローディング方式などを用途に応じて構成でき、化合物半導体の研究開発から製造工程における品質管理まで、幅広い用途に対応します。
セラミックフォーラムでは、ドイツLayTec AGのEpiXウエハマッパーをはじめ、MOCVD・MBE成長プロセス向けのin-situモニタリングシステムを取り扱っています。
GaN、AlGaN、SiC、AlNなどのワイドバンドギャップ半導体を対象としたウエハ評価や成膜プロセス管理について、用途や測定項目に応じた装置構成をご提案します。EpiXの仕様、測定モジュール、対応ウエハサイズ、カスタマイズなどについては、セラミックフォーラムまでお問い合わせください。
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