Enkris Semiconductor社のGaNエピキタシーサービス
Enkris Semiconductor社のGaNエピキタシーサービス
セラミックフォーラムでは、Enkris Semiconductor社のパワーエレクトロニクス、RFおよびマイクロLEDアプリケーション用の
高品質のGaNエピウエハをご提供することも可能です。
Enkris社のコア技術チームのメンバーは全員GaN業界で10年以上の経験を持っており、
高品質で平坦でクラックのないエピ構造のための基板エンジニアリング、バッファ設計、活性領域の最適化をカバーする特許技術が同社の強みです。
Si, SiC, GaN, Sapphireなど様々なベース基板へのエピ成長ができ、6インチGaNエピウエハであれば月に15,000枚の生産能力を持っています。
3300m2 クラス1000 クリーンルームを有しており、更に6000m2への拡張計画が進んでいます。
高品質のGaNエピウエハをご提供することも可能です。
Enkris社のコア技術チームのメンバーは全員GaN業界で10年以上の経験を持っており、
高品質で平坦でクラックのないエピ構造のための基板エンジニアリング、バッファ設計、活性領域の最適化をカバーする特許技術が同社の強みです。
Si, SiC, GaN, Sapphireなど様々なベース基板へのエピ成長ができ、6インチGaNエピウエハであれば月に15,000枚の生産能力を持っています。
3300m2 クラス1000 クリーンルームを有しており、更に6000m2への拡張計画が進んでいます。
対応可能なエピキタシー構造例
マイクロLED用GaN-on-Siエピウエハ
- ウエハサイズ：4インチ、6インチ、8インチ
- エピ層の厚さ < 4 µm
- 波長：近紫外、青、緑
- ウェハ反り： <30 µm
- クラックフリー
LED用エピウエハ
- ウエハサイズGaN-on-Sapphire：2~6インチ
- ウエハサイズGaN-on-Si：4~8インチ
- 波長：青、緑、近紫外
Power用エピウエハ
- ウエハサイズGaN-on-Si：4~8インチ
- Dモード、Eモード
- 耐圧：200V〜1200V
RF用エピウエハ
- ウエハサイズGaN-on-HR_Si：4~8インチ,
- ウエハサイズGaN-on-SiC：2~6インチ
- In-situ SiN/ Al(In)N/ GaNヘテロ構造
GaN-on-GaNエピウエハ
- ウエハサイズGaN-on-GaN：2~4インチ
- カスタム仕様対応
エピウエハ検査例
製品メーカー案内
Enkris Semiconductor社 (中国)
2012年にGaNのエピファウンドリとして設立された。 中国、米国、日本など~200件の特許出願を行い、66件の特許が付与されており imecからは特許ライセンスを80件取得済。 GaNエピ材料の設計および製造のためISO9001:2015証明書を取得。