SiC ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

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SiC(シリコンカーバイト 炭化ケイ素)

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欧州最大のSiC単結晶ウエハメーカーであるSiCrystal社やウェーデンのNorstel社など有名メーカーなど幅広く取り扱っております。

SiC 導電型バルクウエハ
(Norstel / SiCrystal)

次世代型パワーデバイス用のウエハとして、採用が確実視されるSiC 単結晶バルクウエハを取り扱っております。世界トップレベルの品質を誇ります。

SiC 半絶縁型バルクウエハ

次世代の携帯電話用基地局、レーダーなどの高周波デバイス用のウエハとして用いられるSiC 半絶縁バルクウエハを取り扱っております。

フィルター式イオン注入サービス

SiCにおけるエピ層のドーピング制御性を飛躍的に向上させる技術を提供しております。また、SiCにおいて、非常に作成が難しいとされる、スーパージャンクション構造などを容易に実現させる可能性のある技術になります。

SiC エピサービス

SiC デバイスの性能を左右する、SiCエピタキシーの受託成膜サービスを提供しております。要望に応じて、N型やP型、600Vデバイス用から10KVを超える超高耐圧デバイス用エピまで、あらゆる仕様に対応しております。

イオン注入サービス

Si やSiC のパワーデバイス用に、深くイオン注入を行う場合には、非常に高出力が必要です。その高出力イオン注入サービスを提供しております。Siのライフタイム制御、SiCへの深い注入などへの応用が期待されます。

SiC デバイスファウンドリ

SiC デバイスの開発・製造には非常に高度な技術、ノウハウを必要としております。20年以上の開発実績のあるファウンドリにて、デバイス開発受託サービスを提供しております。

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