GaN中の隠れた欠陥評価
GaNデバイスの信頼性とプロセス開発を支える深準位過渡分光法（DLTS）の応用例です。GaN中の電気的に活性な欠陥を評価し、デバイス特性への影響を解説します。
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ケーススタディ一覧
深準位過渡分光法（DLTS）を用いた応用事例をご紹介します。各事例をクリックすると詳細な解説ページが表示されます。
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GaNデバイスの信頼性とプロセス開発を支える深準位過渡分光法（DLTS）の応用例です。GaN中の電気的に活性な欠陥を評価し、デバイス特性への影響を解説します。
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