GaN Substrates
GaN基板
Ammono社

2011年よりAmmono社製GaN単結晶基板の取り扱いを開始しました。
高いキャリア濃度を持つGaNは、当初のレーザーダイオードとしての利用から、高効率のパワーデバイス(HEMTトランジスタ・ダイオードなど)の開発へと移行しており、需要も増加しています。
Ammono GaN単結晶基板はアモノサーマル法によって製造され、転位密度(〜x10e4台)と、他の製品と比べ二桁ほど低いという特長を持ちます。
【取り扱いサイズ】
1インチ及び2インチ
【導電型】
N型及び半絶縁
【最低購入枚数】
1枚~購入可能
Ammono社(Unipress)(ポーランド)
1992年にワルシャワ大学にてスタートしたGaN単結晶研究開発プロジェクトを基にして、1999年にGaN単結晶基板専門メーカーとして設立された。アモノサーマル法で高品質の単結晶基板を製造する、優れた技術を持っている。現在はポーランド高圧物理学研究所の一部となり、研究開発に力を注いでいる。
Nanowin社

2016年よりNanowin社のGaN単結晶基板の取り扱いを開始しました。
Nanowin社のGaN単結晶基板は、ハイドライド気相成長法(HVPE)を用いて製造され、細かな仕様に対応できる多様な品目を取り揃えています。
【取り扱いサイズ】
10×10.5mm・2インチ・4インチ
【導電型】
Nタイプ、アンドープ・半絶縁
【面方位】
C面・A面・M面
【最低購入枚数】
要相談
Nanowin社(中国)
Nanowin Science and Technology Co, Ltd.(Nanowin)は、2007年に蘇州(中国)に設立された。高品質の窒化物半導体材料を製造する技術開発に特化したハイテク企業。
Research社

2019年よりEta Research社のGaN単結晶基板の取り扱いを開始しました。
Eta Research社のGaN単結晶基板はハイドライド気相成長法(HVPE)を用いて製造されています。
2021年より、ウエハの品質ごとにグレード化され、ご用途に応じて価格優位性のあるウエハをご提供できるようになりました。また、GaN-on-GaNエピサービスも対応可能となりました。
【取り扱いサイズ】
2インチ及び4インチ
【導電型】
Nタイプ・アンドープ・半絶縁タイプ
【面方位】
C面
【最低購入枚数】
要相談
Eta Research社(中国)
Eta Research Ltd.は、2015年4月に設立されたハイテク企業で、半導体業界向けに手頃な価格で生産できる大型高品質のGaNウェハの育成に注力している。GaNウェーハの製造方法としては、自社開発のHVPEを採用している。