【出展のお知らせ】ICSCRM 2026にRISEと共同出展 ― ブース C-3

セラミックフォーラム株式会社は、2026年9月27日（日）から10月2日（金）までパシフィコ横浜 ノースで開催される「第23回シリコンカーバイドおよび関連材料に関する国際会議（ICSCRM 2026）」に、スウェーデンの研究機関 RISE Research Institutes of Swedenと共同出展します。

企業展示は9月28日（月）から10月2日（金）まで開催され、当社ブースはC-3です。

今回の展示では、当社が開発したワイドギャップ半導体ウェハ用の高解像度3D（x, y, z）転位検査・位相差／偏光顕微鏡システム「Crystalline Tester® CP1」をご紹介します。

CP1は、位相差顕微鏡法と偏光観察を組み合わせることで、ワイドギャップ半導体ウェハ内部に存在する貫通転位やインクルージョン、エピ層中のCarrot欠陥・Triangle欠陥などを、非破壊で高解像度に3次元診断する装置です。

また、ブースでは以下を含む、当社の幅広いワイドギャップ半導体関連製品・サービスをご紹介します。

– マクロ結晶性診断装置「Crystalline Tester® CS2」
– Phystech社製DLTS測定装置
– LayTec社製In-situモニタリング装置およびウェハマッピング装置
– Sciensee社製SiC・GaNウェハ検査／測定装置
– SiCバルクウェハ、エピタキシャルウェハおよび関連材料
– GaN、ダイヤモンドなどのワイドギャップ半導体材料
– カスタムSiCエピタキシー、イオン注入、ウェハ加工、デバイス試作・ファウンドリサービス
– CP1／CS2による結晶評価、DLTS測定、ホール効果測定などの受託評価・解析サービス

共同出展するRISEは、スウェーデン・KistaのSiC Technology Pilot Lineにおいて、カスタムSiCエピタキシー、デバイス設計、ウェハプロセス、試作、特性・信頼性評価、パイロット生産およびプロセス移管までを一貫して支援しています。

KistaにおけるSiC技術は、旧Acreo（現RISE）からスピンアウトしたAscatronと、その後のII-VI／Coherentによる事業展開につながる技術的系譜を持ちます。RISEは2026年、Kistaの先進SiCエピタキシー設備を取得し、SiC材料・デバイス開発の支援体制をさらに強化しました。

■ CP1関連ポスター発表

会期中には、CP1を活用した4H-SiC基板内の欠陥構造評価に関する研究成果をポスター発表します。

– 発表番号：Th-P-82
– 題目：Half-loop Arrays Induced by the Close-up Micropipe-Twins Including a-component in 4H-SiC Substrate
– 発表者：Ryo Hattori（Ceramic Forum）、Tomoyuki Uchida（Toray Research Center）、Ryuichi Sugie（Ritsumeikan University）
– 日時：2026年10月1日（木）15:00～17:00
– 会場：Poster-C（4階 G403＋G404）
– 分野：Track 03 — Extended Defects

SiCをはじめとするワイドギャップ半導体の材料、エピタキシー、プロセス、検査・評価に関するご相談をお待ちしております。展示ブースC-3とポスターTh-P-82へ、ぜひお立ち寄りください。

■ 開催概要

– 会議名：第23回シリコンカーバイドおよび関連材料に関する国際会議（ICSCRM 2026）
– 会期：2026年9月27日（日）～10月2日（金）
– 企業展示：2026年9月28日（月）～10月2日（金）
– 会場：パシフィコ横浜 ノース
– ブース：C-3
– 共同出展：RISE Research Institutes of Sweden／セラミックフォーラム株式会社
– 公式ウェブサイト：icscrm2026.org

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