Ceramicforum的宽禁带半导体与玻璃溶解技术

概况

宽禁带半导体是指禁带宽的半导体，该半导体持有宽禁制带幅、高绝缘破坏电界、高饱和电子速度、高导热等优秀物性。

根据这些特长，在现有主流Si或GaAs半导体因物性瓶颈所无法发挥的高耐压功率器件、高频高输出器件等领域发挥作用，作为第三代器件半导体备受瞩目。

用途

功率半导体领域与其他半导体领域一样，一直是以硅（Si）素材为主的器件为主流。

但是，在进一步耐高压、低损失的功率半导体制作问题上，硅存在物理极限问题。相反，在电气特性方面表现特别优秀的第三代功率半导体却得到了广泛的研发。

特征

特征１

宽禁带半导体器件的特别大的特长之一就是高温工作性能。功率器件的热阻降低、散热、黏着材料改良、散热一体模组等散热特性改善问题在不断得到研究开发。根据用途的结合温度、周围温度的设计势必会成为重要的课题。

特征2

宽禁带半导体功率器件兼备耐高压、低损失、高速开关切换的特性，有望实现根据宽禁带半导体器件的特性设计其线路的工艺。根据高频化实现接收器部件小型化、素子数降低，同时，电力转换装置小型化、轻量化的整体技术十分重要。

作为第三代高压电力转换线路，有望实现可双向功率流通的双向绝缘型DC/DC转换器。

产品概况

弊司于2008年开始从事SiC外延服务，根据客户的需求提供N型、P型、600V器件用外延与超越6500V的超耐高压器件用外延等各种规格服务。2011年开始提供瑞典Norstel公司、Ascatron公司的外延服务。