GaN（氮化镓）
GaN（氮化镓）被认为是代表第三代半导体的代表材料。
与SiC（碳化硅）相同持有适合功率器件的物理特性（高绝缘耐压和低导通电阻），可实现机器的大幅度小型化、高效率化。该材料除了在蓝色LED、激光Diode等领域作为发光素子的主要材料以外，还被期待应用于太阳能电池、人工光合成等领域。该材料属于一款适用领域宽广，潜力非常大的材料。
弊司提供单晶GaN衬底和GaN外延服务。
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与SiC（碳化硅）相同持有适合功率器件的物理特性（高绝缘耐压和低导通电阻），可实现机器的大幅度小型化、高效率化。该材料除了在蓝色LED、激光Diode等领域作为发光素子的主要材料以外，还被期待应用于太阳能电池、人工光合成等领域。该材料属于一款适用领域宽广，潜力非常大的材料。
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