Ceramicforum的宽禁带半导体与玻璃溶解技术

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GaN(氮化镓)

GaN(氮化镓)被认为是代表第三代半导体的代表材料。
与SiC(碳化硅)相同持有适合功率器件的物理特性(高绝缘耐压和低导通电阻),可实现机器的大幅度小型化、高效率化。该材料除了在蓝色LED、激光Diode等领域作为发光素子的主要材料以外,还被期待应用于太阳能电池、人工光合成等领域。该材料属于一款适用领域宽广,潜力非常大的材料。

弊司提供单晶GaN衬底和GaN外延服务。

GaN 衬底

Ammono公司(波兰)
该公司的单晶GaN衬底是采用AMMONOTHERMAL法制作的高品质衬底,相比HVPE等工艺生产的衬底品质更高。

GaN外延服务

Seen Semiconductor (波兰)提供成膜服务。服务包括GaN、 AlInGaN、 InAlGaAs、 SiC、 Graphene等成膜服务。

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