分析服务（DLTS测试服务）
DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) 方法
基于半导体材料的特性，即便是内在微小的杂质或格子缺陷也会很大程度上影响半导体材料性能，所以此类测量非常重要。DLTS方法是一款高感度测量结晶缺陷导致的电子状态的良好方法，由美国Bell研究所的Lang设计，并广泛应用至今。DLTS方法是一种通过将深准位捕获的carrier（比如电子）释放于Band带上后，显示其与试料（肖特基或pn结）结合容量的过度变化的一种手法，从而可以得知深准位的参数（能量级别、捕获断面积）、浓度值、空间分布等信息。
弊司经销的Phystech公司（德国）的DLTS深能级缺陷测量系统（FT1230 HERA-DLTS）不仅装备有最重要的高感度测量系统，还装备有经过精炼改进的对应范围较广的软件，属于可以测量各种特性半导体材料缺陷的高性能测量装置。
DLTS系统不只可以测试单原子级别的缺陷造成的离散准位，还可以有利的测试有关MOS结构的界面准位及非晶半导体的连续准位测量。
另外，DLTS系统的特长就是可以提高他的高感度。相比在高感度表面分析领域非常熟知的SIMS分析的杂物原子检测下限浓度1014 atoms/cm3，DLTS系统根据条件可以达到109 atoms/cm3，甚至更低，检擦能力达到了惊人的微量浓度。
分析・解析服务
Ceramic forum开始从事 DLTS （Deep Level Transient Spectroscopy)系统的测试解析半导体材料及器件中的缺陷服务。
DLTS系统在半导体缺陷检测感度方面持有其他分析手法所不及的地方。
但是，为了取得相应的测试结果，在使用方面需要相当高的知识与经验。
弊司在推广DLTS系统的同时，通过测试解析服务，希望可以进一步的普及DLTS相关技术，从而对国家的半导体产业发展进到绵薄之力。
弊司的测试解析服务特征
DLTS系统的确是一种高感度的测试手法，但是，测试对象的半导体物性也是多样的。例如，绝缘性半导体或试料整体均为空乏层的超薄膜半导体的结合容量的过度变化测试就很难实现，通常容量的DLTS无法对应。关于此类试料的测试，以电流模式为基础的PITS法或TSC法非常有效。弊司以FT1030测试系统为基础，根据试料物性可以广泛对应测试需求。
2. 提供专家技术对应服务弊司相关测试解析服务由长年从事半导体材料研发、DLTS系统缺陷检测经验丰富的技术专家负责。由于经常出现缺陷准位的准安定举动等复杂现象，针对测试结果的解释存在很多困难。弊司经验丰富的技术专家会解决一切问题。