SiC功率器件代工
SiC器件代加工服务的特长
Ascatron公司提供SiC功率器件研发相关的整体方案服务。从SiC器件的设计阶段开始、到试产→评价→小规模量产→大规模量产的各个阶段，可以提供最合适客户的方案。在瑞典王立电子研究所内拥有1300㎡的无尘车间，试产口径至150mm衬底的外延、器件。
从1994年的4.5KV的PiN-Diode发表开始，特别在耐高压功率器件领域拥有丰富的研发业绩，SiC-p领域嵌入型Diode、SiC-IGBT、SiC-SJ型MOSFET等，可以按照客户的要求研发、试产。另外，同时提供外延嵌入、沟槽层形成、热处理、SJ结构形成等单一特定工序的代工服务。
产品厂家介绍
Ascatron公司（瑞典）
2011年成立，专门从事外延服务、功率器件设计、封装等一系列工序的代加工厂。
该公司属于瑞典国营研发机构（ACREO）的Spin Out Venture企业，于1993年在该机构从事SiC研究开发。以根据大量的研发经验独创的Knowhow，提供独一无二的3DSiC外延服务、功率器件设计、工程技术等技术服务。
SiC器件工程服务
1.SiC器件代工研发（设计到试产评价）
2.工序内SiC外延（嵌入外延、多层pn结成膜等）
3.沟槽结构形成（深10μm＊宽2μm的沟槽结构、无空隙再生长）
4.氧化膜形成（蒸镀和高温退火的组合）
5.金属膜形成（各种种类的金属层＋保护层的形成）
Ascatron公司 持有设备（一部分）
Kista 工厂
- Epitaxy – 3 hot-wall SiC CVD reactors
- Lithography – 0.5 µm stepper
- Dielectrics – Thermal, LTO, PECVD, ALD
- Implantation – Al, B, N, P – 650 keV
- Metals – Ti, TiW, Al, Au, Pt, Ni, & silicides
- Anneal – RTA, high temp furnace (1900°C)
- Etching – ICP, RIE
- Post Process – dicing & wire bonding
- Metrology & Electrical characterisation