SiC半绝缘型单晶圆片
SiC 半绝缘性衬底的特长
SiC半绝缘衬底作为高频器件（氮化镓HEMT）的基板，用途很广。移动电话基地局用发送增幅器、军工用雷达等多领域录用。今后期待汽车雷达、大容量数据发送等领域录用。
Ceramic forum于2011年开始经销Norstel公司的半绝缘性SiC衬底。 该司的半绝缘SiC衬底采用高温CVD生长法（HTCVD），相对比升华法生产的衬底有以下特征。
・低缺陷（低MPD、TSD）
・高电阻且衬底面内的高低效率平均性
・高纯度
产品厂家介绍
Norstel公司（瑞典）
SiC研发领域持有很高的业绩，同时，该公司属于瑞典历史悠久的Linkoping大学的Spin out venture。目前属于欧洲最大的外延服务供应商。1993年开始，以瑞典历史悠久的Linkoping大学和ABB公司的SiC共同研究为基石，历经芬兰Si衬底厂家Okmetic公司的并购，于2005年独立。拥有SiC量产适用外延炉和研发适用片式外延炉及多种测试评价设备，已构建成可以对应大批量生产的体制。
应用案例
1.移动电话基地局用发送增幅器（LTE用基地局、Wi-Max用基地局、5G用基地局等）
2.军工用器件（雷达、导弹用方向指示等）
3.高速数据通讯（宽带放送、卫星数据发送）
4.石墨烯生长用基板
规格
