能量过滤式离子注入服务
能量过滤式离子注入服务的特长
我们提供可以飞跃式改进SiC外延层参杂控制性的技术。利用硅膜能量过滤新技术，可以在一次的离子注入形成任意的doping profile。
例如，使用该硅膜技术可以在一次的离子注入中完成SiC外延层参杂的高精准度控制。衬底面内的浓度误差可以控制在±1～2%以下，相比通常的外延设备的参杂控制，硅膜技术可以做到大幅度精准度增长及生产性提高。
该技术的厂商是mi2-factory GmbH，近年在欧洲很多器件厂家发表了与其合作的事项，目前是倍数瞩目的Venture企业。除了提供过滤技术以外，还提供SiC离子注入服务。
产品厂家介绍
mi2-factory 公司（德国、Jena）
德国Jena大学的Spin-out-venture企业，由当时参加2012年该大学的能量过滤器离子注入控制研发项目的教授、研发人员等人员于2016年成立的start up venture。同时与欧洲内多家离子注入服务公司合作，正加速针对SiCDevice研发相关的新技术研发。
应用案例
1.SiC外延层的参杂控制
使用CVD的外延生长，对衬底边缘部位的参杂控制非常难，如果使用EFII能量过滤器，可以将误差控制在1%~2%左右。
2.SiC-SJ结构的形成
使用外延形成SJ结构的工序多，重现性困难等问题很多，通过离子注入可以消除这些问题。没有从蚀刻开始的沟槽结构形成、外延埋进工序、外延后平整化工序等的烦恼，一次的离子注入即可形成SJ结构。