弊司提供各种衬底的CMP加工、再生研磨、衬底薄肉化、wire‐saw、清洗、加工评价等一站式服务。关于SiC衬底、GaN衬底、Ga2O3衬底等的CMP加工、再生研磨服务,弊司会根据客户的需求条件提案最适合客户的厂家。
因为SiC、GaN、Ga2O3等先进材料的衬底价格非常昂贵,所以无论是量产还是研发,再利用都是非常有效的手段。另一方面,所需要的与研磨品质及成膜装置的匹配性等,尚未得到解明的要素较多。寻找最佳解决方式需要衬底、研磨加工、装置、评价等多方面的Knowhow。弊司通过经销多种材料得来的经验,向客户提供最佳方案。
该公司在SiC GaN 等尖端材料领域的研磨加工技术属于欧洲第一服务供应商。1995年公司成立以来一直负责法国、欧洲的尖端材料研发项目的研磨任务。同时也从事Wafer厂家的研磨服务,所以在加工业绩以及研磨总数量上属于世界屈指可数的研磨加工厂家。
另外,与法国研发机构CREHEA-CNRS合作研发外延技术,不只可以提供4H,还可以提供3C外延,成为为数不多的厂家之一。CMP的评价多数需要在外延成膜后才可进行,该司拥有可以提供从研磨至评价一站式服务的强项。
在SiC、GaN等先进材料的研磨加工领域,日本厂家拥有庞大的经验及Knowhow。可以像tailor-made一样按照材料提供最佳加工。弊司在日本国内有很多研磨加工合作商,可以按照客户的条件提供最佳方案。另外,也可以根据客户的工序需要,进行多家实验比较,从而找到最合适的工艺。