Eta Research社製HVPE-GaN基板
Eta Research社製GaN単結晶基板
2019年よりEta Research社のGaN単結晶基板の取り扱いを開始いたしました。
Eta Research社のGaN単結晶基板はハイドライド気相成長法（HVPE）を用いて製造され、2インチ及び4インチのnタイプ、アンドープ及び半絶縁タイプのGaN基板を取り揃えております。
2021年より、ウエハの品質ごとにグレード化され、ご用途に応じて価格優位性のあるウエハをご提供できるようになりました。また、Eta Research社はGaN-on-GaNエピサービスも対応可能となりました。
Eta Research社のGaN単結晶基板はハイドライド気相成長法（HVPE）を用いて製造され、2インチ及び4インチのnタイプ、アンドープ及び半絶縁タイプのGaN基板を取り揃えております。
2021年より、ウエハの品質ごとにグレード化され、ご用途に応じて価格優位性のあるウエハをご提供できるようになりました。また、Eta Research社はGaN-on-GaNエピサービスも対応可能となりました。
Eta Research社製GaN基板の転移密度について
転移密度が105になり、これまでの HVPE法GaNウエハに比べて低いレベルとなっております。特に高品質が求められる GaNレーザー用途、GaNパワーデバイス用途でご活用ください。
CLとエッチピット、2つの方法で測定した3つのサンプルの転移密度（全て1E6 /cm2以下）
CLとエッチピット、2つの方法で測定した3つのサンプルの転移密度（全て1E6 /cm2以下）
1. 高温のリン酸でエッチングし、光学干渉計での確認
2. 研磨されたウエハのCL画像を取得し、画像の暗点のカウントで確認
使用例
- ディスプレイ（Laser テレビ、プロジェクター）
- 照明（白色LED、UV LED）
- 省エネデバイス（高効率、高耐圧、高温動作デバイス）
- 記憶装置（青色レーザーダイオード）
- 無線システム（高周波デバイス）
仕様
| 対応サイズ | 2インチ、4インチ |
|---|---|
| 導電型 | n型（Siドープ、抵抗値：≤ 0.02 Ωcm） |
| UID（ノンドープ、抵抗値：≤ 0.2 Ωcm） | |
| 半絶縁（Cドープ、抵抗値：> 1E8 Ωcm） | |
| グレード | プロダクション |
| リサーチ | |
| ダミー | |
| カスタマイズ可能 | サイズ、厚み、フラット、レーザーマーク、など |
関連製品／サービス
製品メーカー案内
Eta Research社（中国）
Eta Research Ltd.は、2015年4月に設立されたハイテク企業で、半導体業界向けに手頃な価格で生産できる大型高品質のGaNウェハの育成に注力している。GaNウェーハの製造方法としては、自社開発のHVPEを採用している。