GaN 単結晶基板
Ammono社製GaN単結晶基板(アモノサーマル法)
セラミックフォーラムは、2011年よりAmmono GaN単結晶基板の取り扱いを開始しました。
高いキャリア濃度を持つGaNは、当初のレーザーダイオードとしての利用から、高効率のパワーデバイス(HEMTトランジスタ・ダイオードなど)の開発へと移行しており、需要も増加しています。
Ammono GaN単結晶基板はアモノサーマル法によって製造され、転位密度(〜x10e4台)と、他の製品と比べ二桁ほど低いという特長を持ちます。
取り扱いサイズ:10mm角・1インチ・2インチ
面方位 :C面
導電型 :n型
※半絶縁・p型にも相談に応じます
使用例
- ディスプレイ(Laser テレビ、プロジェクター)
- 照明(白色LED、UV LED)
- 省エネデバイス(高効率、高耐圧、高温動作デバイス)
- 記憶装置(青色レーザーダイオード)
- 無線システム(高周波デバイス)
仕様
Ammono社製(アモノサーマル法)の詳細に関しては気軽にお問い合わせください。
関連製品/サービス
製品メーカー案内
Ammono社(Unipress)(ポーランド)
1992年にワルシャワ大学にてスタートしたGaN単結晶研究開発プロジェクトを基にして、1999年にGaN単結晶基板専門メーカーとして設立された。アモノサーマル法で高品質の単結晶基板を製造する、優れた技術を持っている。現在はポーランド高圧物理学研究所の一部となり、研究開発に力を注いでいる。