DLTS方法的详细说明
在这里，请允许我们解释所谓瞬态光谱法的基本原理，如DLTS和ICTS等方法。DLTS/ICTS法基本上基于相同的测量原理，通过对样品结电容的瞬态变化来检测深层能级的载流子发射过程。因此，在下文中，在不特地比较或对比两者时，统称为DLTS。
DLTS法是由Lang1)在1974年设计的方法，至今进行了方方面面的改良。首先，我们将Lang的被称作常规或者传统的DLTS法进行详细的说明，在那之后简要介绍发展至今的应用在DLTS上的技术。
测量材料
基于DLTS法的测量原理，我们需要具有半导体结型结构(肖特基，pn或者MIS结构)的样品。因此，例如在评估体结构半导体材料中的深能级的情况下，通过在其表面上沉积金属电极来形成肖特基结，而且在背面形成欧姆电极，也就是说做出具有肖特基二极管结构的样品。如果测定样品本身就具有二极管结构，则可以直接将其用于测量。
测量原理
在此我们将解释具有n型肖特基结样品的测量原理，但在pn结以及MIS结构的情况下，测量原理也是没有变化的。
●参考文献
1) D. V. Lang, J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974).