GaN エピサービス
GaN エピサービスの特長
セラミックフォーラムでは、2016年よりポーランド Seen社のGaNエピサービスの取扱いを開始しました。Seen社では、20年に及ぶ経験を持った技術者による、高品質のエピサービスを提供しております。 GaNエピを中心に、AlInGaN, ALN, SiC, グラフェンなど、多種多様なエピ構造を提供しております。
対応可能なベース基板は、自立GaN基板、サファイヤ、Si, SiC, InP, GaAs などで、面方位もC面、非極性面、半極性面など、ご要望に応じて対応しております。
GaN半導体は非常に多くのアプリケーションへの適用が期待されており、それに応じて、様々なエピ構造をご提供可能です。
製品メーカー案内
Seen Semiconductor社（ポーランド）
ポーランド科学アカデミー高圧物理学研究所（Unipress）よりスピンアウト（2011年）した企業で、GaNに限らずInP, GaAs, AlGaN, AlN などのⅢ-Ⅴ属のエピタキシャル成長を得意としております。少量から複雑な構造のご注文にも対応できる柔軟性の高さを特徴としております。
提供可能なエピ種類
- GaN パワーデバイス用エピサービス (HEMT, Diode)
- GaN 高周波デバイス用エピサービス (HEMT)
- グラフェン層の形成
- LED、Laser、VCSEL, Varactors, Photodetectors 構造エピ
仕様
仕様書については下記ページをご覧下さい⇒ Seen Semiconductors社の製品ページ