GaN ウエハ ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

03-5577-2947
平日: 9:30~18:00

GaN ウエハ

GaN ウエハの特長

セラミックフォーラムでは、2011年よりポーランドAmmono社製のGaNウエハの取扱いを開始しました。Ammono社のGaNウエハは、アモノサーマル法を用いて製造されており、世界最高の品質を誇ります。中でも顕著なのは、他の製法に比べ二桁ほど低い転位密度(~x10e4台)です。高いキャリア濃度を誇り、レーザダイオードのみならず、パワーデバイス(HEMTトランジスタ、ダイオード、etc)への採用も期待されております。

取扱いサイズは10mm□から、1~2インチ、面方位はC面、非極性面、半極性面など、ご要望に応じて対応しております。
GaN半導体は非常に多くのアプリケーションへの適用が期待されており、今後の普及が期待されております。

GaN ウエハの特長

製品メーカー案内

Ammono社(ポーランド)

Ammono社(ポーランド)

欧州No.1のGaN自立基板メーカー。同社の製造するGaNウエハは世界最高品質と評価されております。1992年にポーランド、ワルシャワ大学にてスタートしたGaN単結晶研究開発プロジェクトを基にしており、1999年にGaN基板専門メーカーとして設立されました。
2017年6月現在、最大口径2インチ、c面のほかに、m面、a面、半極性面を製品ラインナップしております。

使用例

  • ディスプレイ(Laser テレビ、プロジェクター)
  • 照明(白色LED、UV LED)
  • 省エネデバイス(高効率、高耐圧、高温動作デバイス)
  • 記憶装置(青色レーザーダイオード)
  • 無線システム(高周波デバイス)

仕様

High-carrier-concentration n-type GaN substrates

Features Units ORIENTATION
c-plane m-plane 20-21-plane
Carrier concentration cm-3 ~10-19
Resistivity Ω・cm 10-3ー10-3
Mobility cm2/V・s ~10-19
Thickness μm On demand < 1mm
Total thickness variation(TTV) μm < 40 ~ 20 ~ 20
Bow μm ≦ 10
FWHM of X-ray rocking curve,(epi-ready surface at 100 μm × 100μm slit) arcsec ~ 20 ~ 30 ~ 20
Dislocation density cm-2 ~5・104
Misorientation deg On demand
Surface finishing   As cut / ground
Roughly polished
Optically polished (RMS ≦ 3nm)
Epi-ready (RMS ≦ 0.5nm)
Available sizes   10 × 10mm
1N
9 × 13mm
13 × 15mm
10 × 10mm
13 × 15mm
Packaging   Separate single wafer container
Special Order Option   Please, contact Sales Department
High-carrier-concentration n-type GaN substrates

High Transparency n-type Gan Substrates Other semi-polar orientation available on request

Features Units ORIENTATION
c-plane
Carrier concentration cm-3 ~3・10-17
Resistivity Ω・cm < 0.5
Mobility cm2/V・s ~250
Thickness μm ≥300
Total thickness variation(TTV) μm ~20
Bow μm ≤10
FWHM of X-ray rocking curve,(epi-ready surface at 100 μm × 100μm slit) arcsec ~20
Dislocation density cm-2 ~5・104
Misorientation deg On demand
Surface finishing   As cut / ground
Roughly polished
Optically polished (RMS < 3nm)
Epi-ready (RMS < 0.5nm)
Available sizes   10 × 10mm2, 1N
Packaging   Separate single wafer container
Special Order Option   Please, contact Sales Department
High Transparency n-type Gan Substrates Other semi-polar orientation available on request

Ultra High Resistivity Semi-Insulating GaN substrates

Features Units ORIENTATION
c-plane
Carrier concentration cm-3 -
Resistivity Ω・cm 109-1012
Mobility cm2/V・s -
Thickness μm ≥300
Total thickness variation(TTV) μm <40
Bow μm ≤10
FWHM of X-ray rocking curve,(epi-ready surface at 100 μm × 100μm slit) arcsec ~20
Dislocation density cm-2 ~5・104
Misorientation deg On demand
Surface finishing   As cut / ground
Roughly polished
Optically polished (RMS < 3nm)
Epi-ready (RMS < 0.5nm)
Available sizes   10 × 10mm2, 1.5N
Packaging   Separate single wafer container
Special Order Option   Please, contact Sales Department
Ultra High Resistivity Semi-Insulating GaN substrates
当社サービスに関するご相談・ご依頼がございましたら
お電話またはお問い合わせフォームよりお気軽にお問い合わせください。
お電話でのお問い合わせはこちら
03-5577-2947
平日: 9:30~18:00
WEBからのお問い合わせはこちら