フィルタ式 SiCイオン注入サービス ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

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フィルタ式 SiCイオン注入サービス

フィルタ式SiCイオン注入サービスの特長

SiCにおけるエピ層のドーピング制御性を飛躍的に向上させる技術を提供しております。
エネルギーフィルター(EFII) というシリコンの膜を用いる新技術で、1回のイオン注入によって、任意のドーピングプロファイルを形成することを可能とします。例えば、そのフィルターを用いることで、1回のイオン注入のみで、SiCエピ層のドーピング制御を高精度にコントロールすることができます。その場合の、ウエハ面内の濃度誤差は±12%以下に抑えられ、通常のエピ装置によるドーピング制御よりも、大幅に精度と生産性を上げることが可能となります。

この技術のサプライヤーは、mi2-factory GmbHで、近年欧州デバイスメーカーから協業の発表が相次いでいる、注目のベンチャーです。フィルターの提供のほかに、フィルターを用いたSiC イオン注入サービスを提供しております。

エネルギーフィルターの特長

製品メーカー案内

mi2-factory社(ドイツ)

mi2-factory 社(ドイツ、Jena)

ドイツ、Jena大学からのスピンアウトベンチャー。2012年にスタートした、同大学での「エネルギーフィルターを用いたイオン注入制御の開発プロジェクト」に参加していた教授、研究者を中心に、2016年に設立したスタートアップベンチャー。欧州内のイオン注入サービス会社数社と提携し、SiCデバイス開発における新しい技術スタンダードとなるべく、開発を加速しております。

応用例

  1. SiC エピタキシャルレイヤーのドーピング制御
    CVDを用いたエピ成長では、制御の難しかったウエハ外周部のドーピング制御を、EFII を用いることで、振れ幅1%~2%に抑えることができます。

  2. SiC スーパージャンクション(SJ)構造の形成
    エピを用いてのSJ構造形成は、工程が多く、再現性が難しいなどの問題が多かったのですが、イオン注入を用いることで、それらの問題を解消することが可能です。エッチングからのトレンチ構造の形成、埋め込みエピ工程、エピ後の平坦化工程で悩むことなく、1回の注入でSJ構造を形成します。


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