イオン注入サービス ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

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イオン注入サービス

イオン注入サービス の特長

シリコンを中心に、SiC、GaN、GaAsなどの基板へのイオン注入サービスを提供しております。一番の特徴は、高エネルギーイオン注入であり、6MVの注入機を用いて、50MeV超の注入が可能です。H, Heなどの軽元素を使ってのライフタイム制御、B, P, Asを用いてのドーピングや電界制御に多く用いられており、パワーデバイス向けの注入では多くの実績を持ちます。 世界最高エネルギーでのイオン注入を提供できるため、普及型の注入機では達成できない、SiCへの深さ10μmの注入も可能です。

弊社が取り扱う注入サービスのサプライヤーは、HZDR Innovation GmbHで、世界有数の高エネルギーイオン注入サービス会社になります。

イオン注入サービスの特長

製品メーカー案内

HZDR社(ドイツ)

HZDR Innovation 社(ドイツ、Dresden)

ドイツ有数のR&D機関である、Helmholtz-Zentrum のDresden 研究所からのスピンアウトベンチャー。同研究機関の保有する世界最高エネルギーイオン注入機を用いて、産業界に貢献する目的で設立。現在では欧米を中心に13カ国にわたる製造企業、研究機関へ注入サービスを提供しております。 同社の保有する注入設備は、2MV, 3MV, 6MVがあり、研究開発から量産用途まで幅広い用途で使われております。

応用例

  • SiウエハへのH, He注入を用いてのライフタイム制御 (パワーデバイス向け)
  • SiC への窒素、アルミニウム、ボロン注入  深さ~10μm超 (パワーデバイス向け)
 
 
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