イオン注入サービス
HZDR Innovation社のイオン注入サービス
セラミックフォーラムでは、HZDR Innovation社によるSi・SiC・GaN・GaAsなどの基板へのイオン注入サービスを提供しています。
中でも特徴的なのは、6MVの高エネルギーイオン注入機を用いたサービスであり、〜50MeVの注入を行うことでSiCへ深さ10μmの注入も実現しています。
H・Heなどの軽元素を使ってのライフタイム制御、B, P, Asを用いてのドーピングや電界制御など、パワーデバイス向けに必要とされる仕様のイオン注入に対応しています。
その他、mi-2Factory社のフィルタ式イオン注入サービスも承っています。
応用例
- SiウエハへのH・He注入を用いたライフタイム制御 （パワーデバイス向け）
- SiC へのN・Al・B注入 深さ~10μm超 （パワーデバイス向け）
- SiC へのB・P・As注入を用いたドーピングや電界制御
関連製品／サービス
製品メーカー案内
HZDR Innovation 社（ドイツ、Dresden）
ドイツ有数のR&D機関であるHelmholtz-Zentrum のDresden 研究所が保有する、世界でもトップレベル（〜50MeV）の高エネルギーイオン注入機を用いて、産業界に貢献する目的で設立されたスピンアウトベンチャー。
現在では、3種類（2MV・ 3MV・ 6MV）のイオン注入器を用いて、欧米を中心に13カ国にわたる製造企業、研究機関へ注入サービスを提供している。