SiCrystal社製 SiC バルクウエハ | ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

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SiCrystal社製 SiC バルクウエハ

SiCrystal社 SiCバルクウエハの特長

SiC バルクウエハは、次世代パワー半導体用のベース基板として、需要の拡大が続いております。「省エネの切り札」とされ、電気自動車、太陽光発電システム、風力発電システムなどへの搭載が有望視されております。一方で、SiCバルクウエハは、高温下、昇華法での製造が必要のため、高性能化、低価格が難しいとされております。セラミックフォーラムで取り扱うSiC バルクウエハは全て、デバイス量産用の厳しい品質検査をクリアしたウエハです。

セラミックフォーラムは、2001年よりSiCrystal社製のSiC バルクウエハの取扱いを開始しました。同社のSiC ウエハは昇華法で製造されており、他社ウエハに比べて高い量産実績を誇ります。親会社であるローム社のSiCデバイスへの採用を筆頭に、多くのメーカーで採用実績があり、安定した信頼性の裏付けとなっております。

半絶縁SiC基板

製品メーカー案内

ドイツ SiCrystal社

SiCrystal社(ドイツ、Nurenberg市)

欧州最大のSiC単結晶ウエハメーカー。ドイツが1994年にスタートさせたSiC単結晶成長技術開発プロジェクトを礎として、1997年に設立され、2001年よりSiCウエハの量産、供給を開始しております。2000年にはSiemensグループのFreitoronicsとの合併を経て、2009年よりローム(株)グループの1社となりました。
「品質の安定」を会社哲学とし、SiC原料から結晶成長~ウエハ加工~検査までのウエハ一貫生産体制を築き、ISO9001を1999年に取得しております。

 

応用例

  • SiCデバイス用ベース基板(ダイオード、MOSFETなどのトランジスタ)
  • GaNデバイス用ベース基板(HEMT などの高周波デバイス)
  • グラフェン製造用 支持基板
  • 高い放射能耐性という特性をいかした構造材

仕様

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