代理测量・分析服务
Ceramic forum（有限公司）现在开始使用DLTS法开展与半导体材料/原器件中缺陷评估有关的测量和分析服务。
作为半导体中的缺陷评估方法，DLTS法在其检测灵敏度等方面具有其他分析手段所没有的优点。
然而事实上，掌握这种分析手段并获得精确的评估结果，需要与之相当的知识与经验。
本公司将通过受托测量·分析服务以及设备系统的销售，为DLTS相关技术的进一步普及尽微薄之力，为日本半导体产业的发展做出贡献。
本公司代理测量·分析服务的特点
（1）可以满足各种测量需求
虽然DLTS法是一种灵敏度很高的测量方法，但是作为测定对象的半导体的物理性质是多种多样的。
例如，对于所谓的半绝缘半导体和耗尽层覆盖整个材料的超薄半导体而言，测量结电容的瞬态变化基本上是不可能的，一般的电容用DLTS法是无法测量的。
对于诸如前文所述的材料，基于电流模式的PITS和TSC法是非常有效的测量方法。
本公司基于FT 1030测量系统，可以根据材料的物理性质满足各种测量需求。
（2）专业技术团队
负责本公司代理测量分析服务的技术人员，是在半导体材料研发和DLTS方法缺陷评估方面拥有多年经验的专家。
缺陷能级往往会出现比如它们处于亚稳态时这样的复杂现象，并且很多时候很难解释出DLTS的测量结果。而本公司拥有丰富知识和经验的专业人员将会解决这些问题
Ceramic Forum 测量・分析服务的特点
图1. SiC成长层的DLTS光学频谱
图2. SiC-MOS界面水平的评估 (DLTS/CC-DLTS的比较)
在通常的DLTS方法中，可以看到界面态浓度被过大评估(Δ=28%, @0.5eV)
图3. 半绝缘性GaAs的PITS光学频谱
显示了T1~7表示的7个能级的存在
