关于DLTS
什么是DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy)
半导体材料中的微量杂质和晶格缺陷（晶体缺陷）往往会对半导体的性能产生极大影响，因此对这些杂质和缺陷等的评价非常重要。DLTS是一种能高灵敏度地检测出由这些晶体缺陷产生的电子状态（深能级）的极佳算法。DLTS由美国贝尔朗研究所于1974年发明，至今已被广泛应用。
在DLTS方法中，基于其测定原理，我们将使用具有所谓半导体结（如肖特基结或PN结）的样本。通过监测样品结电容的瞬时变化，可以得到在深能级被俘获的载流子（如电子）发射到能带（导带）这一动态过程中的参数（能级、俘获截面）及载流子浓度值、空间分布等。
DLTS方法不仅能测量由单原子级缺陷产生的离散能级，还能有效评价MOS结构中的界面态和非晶半导体中的连续能级。
此外，作为DLTS的一个特点，其优异的灵敏度可以提高。
在被称为高灵敏度表面分析的SIMS分析中，杂质原子检测下限浓度约为1014 atoms/cm3，而DLTS方法则在一定条件下可以使杂质原子检测下限浓度达到109 atoms/cm3或更少。
（有关DLTS方法的更详细说明，请参阅另一节。）