ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

半導体材料の特性は、内在するごくわずかな不純物や格子欠陥（結晶欠陥）によって大きく影響を受けるため、それらの評価がたいへん重要となります。
DLTS法は、これら結晶欠陥が作る電子状態（深い準位）を高感度で検出する優れた手法であり、1974年に米国Bell研究所のLangによって考案されて以来、今日に至るまで広く使われてきました。

DLTS法では、その測定原理上、いわゆる半導体接合（ショットキーやpn接合など）を有する試料が使用されます。深い準位に捕獲されたキャリア（たとえば電子）が、バンド（伝導帯）に放出される動的過程を、試料の接合容量の過渡変化を通してモニターすることで、その準位のパラメータ（エネルギーレベル、捕獲断面積）や濃度値、空間的な分布などを知ることができます。