SiC 半絶縁ウエハ ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

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SiC 半絶縁ウエハ

SiC 半絶縁性 ウエハの特長

SiC 半絶縁性ウエハは、高周波デバイス(窒化ガリウムHEMT)用のベース基板として広く適用されております。携帯電話基地局の送信用増幅器、軍事用レーダなどに多く用いられ、ここ数年着実に使用量が増えてきております。今後は、自動車用レーダ、大容量データ送信などへの適用が期待されております。

セラミックフォーラムは、2011年よりNorstel社製の半絶縁性SiC ウエハの取扱いを開始しました。同社の半絶縁性SiC ウエハは、高温CVD成長法(HTCVD)で製造されており、昇華法で製造されているウエハに比べて、以下のような特徴があります。
・低欠陥(低MPD、TSD)
・高抵抗かつ、ウエハ面内における高い低効率均一性
・高純度

半絶縁SiC基板

製品メーカー案内

スウェーデン Norstel社

Norstel社(スウェーデン)

SiC 研究において高い実績と歴史を誇るスウェーデンのリンチョピン大学からのスピンアウトベンチャー。現状、欧州最大のエピサービス供給会社。1993年より開始された、スウェーデンLinkoping大学とABB社のSiC共同研究を礎として、フィンランドのSiウエハメーカー、Okmetic社傘下を経て、2005年に独立。量産用SiCエピ炉と研究開発用枚葉式エピ炉の他、数多くの評価装置を有し、大量生産に対応した体制を築き上げております。

 
 

応用例

  • 携帯電基地局用の送信増幅器(LTE用基地局、Wi-Max用基地局、5G用基地局など)
  • 軍事用デバイス(レーダ、ミサイル用方向指示など)
  • 高速データ通信(ブロードバンド放送、衛生データ送信)
  • グラフェン成長用ベース基板

仕様

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