SiCデバイス ファウンドリサービス ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

03-5577-2947
平日: 9:30~18:00

SiCデバイス ファウンドリサービス

SiCデバイス ファウンドリサービス の特長

Ascatron社では、SiC パワーデバイス開発のトータルソリューションを提供しております。SiCデバイスの設計段階から、試作→評価→パイロット量産→大規模量産の各段階において、お客様に最適なご提案が可能です。スウェーデン王立電子研究所内に、1300m2のクリーンルームを有し、150mmウエハまでのエピ、デバイス試作を行っております。

1999年の4.5KVのPiN-Diodeの発表に始まり、特に高耐圧パワーデバイスで豊富な開発実績を有し、SiC-p領域埋め込み型ダイオード、SiC-IGBT、 SiC-スーパジャンクション(SJ)型MOSFETなど、お客様のデザインに合わせて開発・試作を行います。また、埋め込みエピ、トレンチ層形成、熱処理、SJ構造形成など特定プロセスのみでの製造受託も行っております。

エピ製膜サービス

製品メーカー案内

スウェーデン Ascatron社

Ascatron社(スウェーデン)

エピタキシーから、デバイス設計~パッケージまでの工程を手がける、2011年設立のSiC専門ファブ。
スウェーデンの国営研究機関(ACREO)からのスピンアウトベンチャーであり、同研究機関にて、1993年からSiCの研究開発を行っておりました。
数多くの開発実績をもとにした独自ノウハウによる、3DSiCエピタキシャル構造や、デバイス設計、プロセス技術等の、同社でしか提供のできないノウハウと技術を提供しております。

SiC デバイスプロセスサービス

  • SiCデバイス開発受託 (デザインから試作評価まで)
  • プロセス内SiCエピ (埋め込みエピ、多層pnジャンクション成膜など)
  • トレンチ構造形成(深さ10μm*幅2μmのトレンチ構造、ボイドなし再成長)
  • 酸化膜形成 (蒸着と高温アニールのコンビネーション)
  • 金属膜形成 (様々な種類の金属層+保護層の形成)


Ascatron社 保有設備(一部)

Kista 工場


  • Epitaxy – 3 hot-wall SiC CVD reactors
  • Lithography – 0.5 µm stepper
  • Dielectrics – Thermal, LTO, PECVD, ALD
  • Implantation – Al, B, N, P – 650 keV
  • Metals – Ti, TiW, Al, Au, Pt, Ni, & silicides
  • Anneal – RTA, high temp furnace (1900°C)
  • Etching – ICP, RIE
  • Post Process – dicing & wire bonding
  • Metrology & Electrical characterisation
当社サービスに関するご相談・ご依頼がございましたら
お電話またはお問い合わせフォームよりお気軽にお問い合わせください。
お電話でのお問い合わせはこちら
03-5577-2947
平日: 9:30~18:00
WEBからのお問い合わせはこちら