Ascatron社では、SiC パワーデバイス開発のトータルソリューションを提供しております。SiCデバイスの設計段階から、試作→評価→パイロット量産→大規模量産の各段階において、お客様に最適なご提案が可能です。スウェーデン王立電子研究所内に、1300m2のクリーンルームを有し、150mmウエハまでのエピ、デバイス試作を行っております。
1999年の4.5KVのPiN-Diodeの発表に始まり、特に高耐圧パワーデバイスで豊富な開発実績を有し、SiC-p領域埋め込み型ダイオード、SiC-IGBT、 SiC-スーパジャンクション(SJ)型MOSFETなど、お客様のデザインに合わせて開発・試作を行います。また、埋め込みエピ、トレンチ層形成、熱処理、SJ構造形成など特定プロセスのみでの製造受託も行っております。
エピタキシーから、デバイス設計~パッケージまでの工程を手がける、2011年設立のSiC専門ファブ。
スウェーデンの国営研究機関(ACREO)からのスピンアウトベンチャーであり、同研究機関にて、1993年からSiCの研究開発を行っておりました。
数多くの開発実績をもとにした独自ノウハウによる、3DSiCエピタキシャル構造や、デバイス設計、プロセス技術等の、同社でしか提供のできないノウハウと技術を提供しております。