SiCデバイス ファウンドリサービス
SiCデバイス ファウンドリサービス の特長
Ascatron社では、SiC パワーデバイス開発のトータルソリューションを提供しております。SiCデバイスの設計段階から、試作→評価→パイロット量産→大規模量産の各段階において、お客様に最適なご提案が可能です。スウェーデン王立電子研究所内に、1300m2のクリーンルームを有し、150mmウエハまでのエピ、デバイス試作を行っております。
1999年の4.5KVのPiN-Diodeの発表に始まり、特に高耐圧パワーデバイスで豊富な開発実績を有し、SiC-p領域埋め込み型ダイオード、SiC-IGBT、 SiC-スーパジャンクション（SJ）型MOSFETなど、お客様のデザインに合わせて開発・試作を行います。また、埋め込みエピ、トレンチ層形成、熱処理、SJ構造形成など特定プロセスのみでの製造受託も行っております。
製品メーカー案内
Ascatron社（スウェーデン）
エピタキシーから、デバイス設計～パッケージまでの工程を手がける、2011年設立のSiC専門ファブ。
スウェーデンの国営研究機関（ACREO）からのスピンアウトベンチャーであり、同研究機関にて、1993年からSiCの研究開発を行っておりました。
数多くの開発実績をもとにした独自ノウハウによる、3DSiCエピタキシャル構造や、デバイス設計、プロセス技術等の、同社でしか提供のできないノウハウと技術を提供しております。
SiC デバイスプロセスサービス
- SiCデバイス開発受託 （デザインから試作評価まで）
- プロセス内SiCエピ （埋め込みエピ、多層pnジャンクション成膜など）
- トレンチ構造形成（深さ10μm＊幅2μmのトレンチ構造、ボイドなし再成長）
- 酸化膜形成 （蒸着と高温アニールのコンビネーション）
- 金属膜形成 （様々な種類の金属層＋保護層の形成）
Ascatron社 保有設備（一部）
Kista 工場
- Epitaxy – 3 hot-wall SiC CVD reactors
- Lithography – 0.5 µm stepper
- Dielectrics – Thermal, LTO, PECVD, ALD
- Implantation – Al, B, N, P – 650 keV
- Metals – Ti, TiW, Al, Au, Pt, Ni, & silicides
- Anneal – RTA, high temp furnace (1900°C)
- Etching – ICP, RIE
- Post Process – dicing & wire bonding
- Metrology & Electrical characterisation